안녕하세요. 직장에서 Etcher를 다루고 있습니다.

 

저희 장비 중 Microwave Plasma를 사용하고, 여기에서 Impedance를 Matching하는 Matcher가 있습니다.

 

이 Matcher는 아래 도파관이 있고, 그 위에 3개의 Stub가 있는데, 정확하게 Matching을 진행하는 원리가 궁금합니다.

 

다른 ICP하고는 달리 Matcher가 회로로 되어 있는 것이 아니니 머리속으로 물리적인 현상을 떠오르는데 어려움이 있네요.

 

원리가 표현된 관련 문헌이나 자료가 있으면 더욱 감사드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102956
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24689
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61443
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73484
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105854
453 Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath] [1] 3598
452 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [소수/친수성 조절 연구] [1] 3584
451 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [DC 글로우 방전 및 Breakdown] [1] 3547
450 VI sensor를 활용한 진단 방법 [Monitoring과 target] [2] 3394
449 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [표면 전위 생성 및 방전] [3] 3388
448 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [전극 표면 전위] [1] 3362
447 임피던스 매칭회로 [전기공학 회로 이론 및 impedance matching] [1] file 3350
446 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [MFC와 H2 gas retention] [3] 3300
445 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [LF와 Sheath] [1] 3257
444 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3237
443 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Depostion Rate 감소 현상 문의 [전자의 에너지와 중성입자와의 충돌] [1] 3229
442 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 3218
441 [RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma] [1] 3205
440 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [웨이퍼 근방 쉬스 특성, Edge ring] [2] 3195
439 SI Wafer Broken [Chucking 구동 원리] [2] 3174
438 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 3155
437 RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power] [1] 3096
436 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [Step ionization, Dissociative ionization] [1] 3054
435 ECR 플라즈마에 대해서 질문드립니다. [ECR과 uniformity] [1] 3042
434 Ashing 공정에 필요한 O2plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [전자 충돌 이온화 반응 해리 반응 흡착 반응] [1] 3012

Boards


XE Login