Sheath PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문
2017.05.31 11:57
안녕하세요? 궁금한 사항이 있어 게시글을 남깁니다.
플라즈마를 통한 CCP etcher 의 경우 PE모드와 RIE모드가 있는것으로 알고 있습니다.
이 두경우는 상부전극에 RF를 걸어주느냐, 하부기판에 RF를 걸어주느냐에 따라 분류됨을 알고있습니다.
그런데 쉬스의 경우에는 RIE 모드에서만 기판 가까이 형성이 되고, PE 모드에서는 기판에 형성이 되지 않는다는
자료를 보아서, 궁금하여 질문을 드립니다.
감사합니다.
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] | 76886 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20282 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57200 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68758 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92712 |
| 419 | HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] | 2916 |
| 418 | VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] | 2890 |
| 417 | 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] | 2888 |
| 416 | HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? | 2887 |
| 415 | Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] | 2833 |
| 414 |
임피던스 매칭회로
[1]  | 2826 |
| 413 | [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] | 2815 |
| » | PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] | 2793 |
| 411 | 플라즈마 압력에 대하여 [1] | 2732 |
| 410 | PR wafer seasoning [1] | 2707 |
| 409 | 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] | 2693 |
| 408 | RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] | 2669 |
| 407 | 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] | 2661 |
| 406 | 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] | 2591 |
| 405 |
안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출)
[1] | 2590 |
| 404 | 질문있습니다. [1] | 2584 |
| 403 | Si Wafer Broken [2] | 2540 |
| 402 | 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] | 2522 |
| 401 | [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] | 2503 |
| 400 | 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] | 2493 |