안녕하세요

반도체 설비 제조 업체 연구소에 근무 하는 하태경 이라고 합니다.

Plasma 진단 에 관련한 질문 있어 글을 씁니다.


저희 회사는 remote plasma를 사용하는 반도체 ashing 설비를 생산 하고 있습니다.

Plasma source는 ICP type 입니다. matcher에 VI sensor가 장착 되여 있습니다. matcher와 source 사이에 VI sensor가 위치합니다.

plasma source - baffle - process chamber 구조로 source에서 생성되는 radical의 down stream 으로 ashing를 진행 합니다.

chuck은 히팅외에는 다른 역할를 하지 않습니다.


여기서 질문은 VI sensor를 활용하여 어떠한 진단을 할 수 있는지가 궁금합니다.

현재 monitroing 해본 것으로는, end point를 보려 했지만 값이 변화하지 않습니다.. 케미스트리 변화에는 값이 변화 합니다.

VI sensor로 진단 가능한 부분이나 사례등이 있으시면 무엇이라도 좋습니다 답변 부탁 드립니다.

예로 PM 주기 monitoring 등도 좋은 아이템이 될것 같습니다.

감사합니다


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [102] 3674
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 15355
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 50581
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63008
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 82184
289 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 1916
288 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] 1912
287 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 1897
286 Wafer particle 성분 분석 [1] 1891
285 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 1877
284 플라즈마볼 제작시 [1] file 1852
283 Load position 관련 질문 드립니다. [2] 1790
282 Si Wafer Broken [2] 1787
281 가입인사드립니다. [1] 1786
280 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 1785
279 Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문 [3] 1779
278 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 1749
277 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 1737
276 13.56MHz resonator 해석 관련 문의 [1] 1705
275 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] 1690
274 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 1689
273 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 1678
272 chamber impedance [1] 1638
271 3 stub 정합에 대해 궁금합니다. [1] 1584
270 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 1573

Boards


XE Login