Deposition PECVD Precursor 별 Arcing 원인

2019.09.23 17:31

강동범 조회 수:2087

안녕하십니까 교수님. 현업 종사자로 Plasma Arcing 이슈로 문의코자 합니다.


현재 사용하는 Precursor는 TEOS로 Ar Carrier Gas를 사용합니다.

Low k CVD에서는 OMCTS로 Precursor를 변경하고 He Carrier Gas를 사용합니다.

이 때, OMCTS를 사용하는 Low k에서 Arcing이 발생하여 원인을 찾고자 합니다.


추측하는 원인으로는 교수님께서 Arcing Mechanism으로 언급하셨던 주위 부품들에서 축전된 전하로 발생할 가능성을 기반으로,

부품의 유전율은 동일하니, Sheath의 두께가 달라 Capacity가 다를 수 있어 Arcing에 취약하지 않을까 추측하고 있습니다.


관련 문헌들을 조사하였을 때, He Gas가 Ar에 비해  Sheath 두께가 얇고, Ion Density가 높음을 보입니다. 또한, 일부 문헌에서는 Precursor의 Corss section이 달라져 Sheath에 영향을 준다고 합니다.


정리하자면, TEOS, Ar -> OMCTS,He으로 변경 시, Arcing이 발생하는 것은 Sheath의 두께에 따른 Capacity 차이에 의함이 아닌가 싶습니다.


검토해주셔서 답변해주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [158] 72998
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17589
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 55512
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 65687
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 86018
325 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2284
324 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 2277
323 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출) [1] file 2265
322 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 2265
321 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2249
320 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? 2208
319 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] 2204
318 RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 2171
317 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2165
316 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2131
315 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] 2127
314 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 2126
313 Load position 관련 질문 드립니다. [1] 2093
312 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] 2093
» PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 2087
310 Wafer particle 성분 분석 [1] 2049
309 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2042
308 양극 코로나 방전에 대한 질문입니다. [1] 2039
307 Si Wafer Broken [2] 2027
306 플라즈마볼 제작시 [1] file 2009

Boards


XE Login