안녕하세요 반도체회사에서 CVD 공정에서 근무하고있는 사람입니다.


몇가지 질문이 있어 글을 올립니다.


1. 현재 CCP를 이용한 설비를 사용하고 있으며, RF/LF를 사용하고있는데 RF/LF의 역할에 대해 궁금합니다. RF는 전자에 거동에 영향을 주고 LF는 이온 거동에 영향을 준다고 간단하게만 알고있는데 이 내용이 맞는지요?


2. 현재 TEOS를 사용하여 CVD하고 있는 레시피 중 LF POWER가 낮은 레시피의 CVD 막질 두께의 UNIFOMITY가 LF POWER를 높게 쓰는 막질 두께의 UNIFORMITY보다 불량합니다. LF POWER가 낮은것이 막질 THK의 UNIFORMITY의 영향을 주는 것 일까요?


3. HF POWER의 세기도 CVD 막질 THK의 UNIFORMITY의 영향을 주는지 알고싶습니다.


마지막으로 항상 좋은 답변 좋은 내용 올려주셔서 감사합니다.

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