Remote Plasma RPS를 이용한 SIO2 에칭

2020.05.15 23:53

유재민 조회 수:2399

안녕하세요 교수님

현재 반도체업에 종사하고 있습니다. 궁금한 게 있어서 질문드립니다.

FSG, USG 공정 후 RPS로 Chamber cleaning 을 진행하고

Ignition에 AR 을 사용, 에칭에 NF3를 단독으로 사용하고 있습니다.

1. NF3 단독 사용과 NF3에 O2를 추가했을 때 장단점이 무엇이 있을까요?

2. NF3가 해리되고 N이 생성되어 질화막을 형성하면 Particle 원인이 될 수 있을까요?

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76874
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20274
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68751
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92696
397 Load position 관련 질문 드립니다. [1] 2451
396 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 2442
395 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 2435
» RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2399
393 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2362
392 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 2362
391 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 2362
390 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2360
389 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 2352
388 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2349
387 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 2345
386 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 2344
385 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2343
384 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2338
383 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2337
382 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? 2336
381 Wafer particle 성분 분석 [1] 2331
380 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2327
379 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2297
378 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 2291

Boards


XE Login