안녕하세요 반도체회사에서 CVD 공정에서 근무하고있는 사람입니다.


몇가지 질문이 있어 글을 올립니다.


1. 현재 CCP를 이용한 설비를 사용하고 있으며, RF/LF를 사용하고있는데 RF/LF의 역할에 대해 궁금합니다. RF는 전자에 거동에 영향을 주고 LF는 이온 거동에 영향을 준다고 간단하게만 알고있는데 이 내용이 맞는지요?


2. 현재 TEOS를 사용하여 CVD하고 있는 레시피 중 LF POWER가 낮은 레시피의 CVD 막질 두께의 UNIFOMITY가 LF POWER를 높게 쓰는 막질 두께의 UNIFORMITY보다 불량합니다. LF POWER가 낮은것이 막질 THK의 UNIFORMITY의 영향을 주는 것 일까요?


3. HF POWER의 세기도 CVD 막질 THK의 UNIFORMITY의 영향을 주는지 알고싶습니다.


마지막으로 항상 좋은 답변 좋은 내용 올려주셔서 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76712
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20168
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68690
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92263
388 Load position 관련 질문 드립니다. [1] 2435
387 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 2431
» RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 2386
385 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2377
384 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2360
383 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 2342
382 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 2329
381 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? 2327
380 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2322
379 Wafer particle 성분 분석 [1] 2318
378 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 2317
377 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2312
376 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2312
375 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2312
374 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 2311
373 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2311
372 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 2310
371 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2303
370 RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 2281
369 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 2269

Boards


XE Login