이제 막 Plasma라는 것에 첫발을 딛은 직장 입니다. 

 

주파수는 13.56Mhz 사용 중입니다. 

 

공정 Power가 500W -> 1000W로 올렸더니 Load position이 내려 갔습니다. 

 

RF power가 상향되면 Load position이 내려가는 이유를 잘 모르겠습니다. (기계공학전공입니다.)

 

Load position이 내려가는 이유를 알려주실수 있을까요? 

 

감사합니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76694
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20152
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57159
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68681
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92219
» Load position 관련 질문 드립니다. [1] 2433
386 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 2430
385 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 2377
384 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2370
383 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2360
382 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 2337
381 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 2327
380 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? 2327
379 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2319
378 Wafer particle 성분 분석 [1] 2315
377 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2311
376 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2311
375 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 2309
374 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 2309
373 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2308
372 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 2307
371 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2307
370 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2298
369 RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 2280
368 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 2263

Boards


XE Login