안녕하십니까 교수님 항상 성심성의것 답변해 주신것 감사합니다.

 

저는 CCP plasma를 다루는 반도체 장비 회사를 다니고 있는 엔지니어 입니다.

 

다름이 아니라 여러가지 조건으로 Split test를 하는 와중에 샤워헤드와 척 사이의 갭을 늘렸더니 

 

플라즈마가 켜졌을 때 Matcher의 Vrms가 초반 몇 초 동안 급격히 상승하는 현상이 발생했습니다.

 

운이 없었다면 아킹이 발생하고 웨이퍼가 깨졌을 수도 있었던 상황이라 생각합니다.

 

 

이런 상황에서 pressure를 낮췄을 때는 Gap을 늘려도 상대적으로 안정해지는 경향이 파악 되었습니다.

 

왜 Gap이 커지면 불안정해지고, 여기서 Pressure를 낮추면 Gap이 커져도 상대적으로 안정해 지는 걸까요??

 

감사합니다~!

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [299] 77714
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20710
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57637
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69135
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93385
416 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2520
415 Load position 관련 질문 드립니다. [1] 2504
414 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 2498
413 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2483
412 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2463
411 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 2456
410 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 2452
409 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 2440
408 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2434
407 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 2430
406 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2427
405 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 2423
404 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2404
403 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 2390
402 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2388
401 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2387
400 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2381
399 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2371
398 Wafer particle 성분 분석 [1] 2366
397 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? 2366

Boards


XE Login