Process Ta deposition시 DC Source Sputtreing

2022.11.19 05:11

TW 조회 수:2387

안녕하세요 

 

현재 반도체관련 회사에 재직중입니다. 

다름아니라  Ta material을 Deposition하는데 PVD에서는 DC Soruce sputtering을 이용해서 사용하는데 

RF source sputtering을 하게되면 어떤 단점이 있고 장점이 있을까요?

 

아님 Ta material에 대한 제한이 있는것 일까요? 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [309] 78473
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21040
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57867
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69400
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93945
421 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [최적 정합 조건 및 정합 시간] [2] 2602
420 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [Step ionization, Dissociative ionization] [1] 2580
419 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [회로인자 및 구동기구, 플라즈마 특성] [1] 2577
418 Load position관련 질문 드립니다. [Impedance matching] [1] 2551
417 안녕하세요. 교수님 ICP 관련하여 문의드립니다. [충돌 단면적 및 반응 계수] [2] 2542
416 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [Standing wave effect] [1] 2527
415 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [Etch와 remote plasma] [1] 2523
414 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [Ionization collision 및 Effective ionization energy] [1] 2506
413 DRY Etcher Alarm : He Flow 관점 문의 드립니다. [O ring 결합부 근처 leak detect] [1] 2500
412 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [충돌 반응 및 전력 전달 모델] [1] 2484
411 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [플라즈마 dielectric property] [4] 2483
410 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAT <-> STAGE HEATER 간 GAP과 DEPO 막질의 THK와의 연관성…. [Plasma property와 process control] [1] 2482
409 plasma etching을 관련 문의드립니다. [반도체 공동 연구소] [1] 2479
408 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다. [플라즈마 특성변화와 SH impedance 변화] [1] 2463
407 Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution] [1] 2459
406 Etch 공정(PE mode) Vpp 변동 관련. [Self bias 형성 과정과 전자의 에너지] [1] 2451
405 ECR 플라즈마에 대해서 질문드립니다. [ECR과 uniformity] [1] 2445
404 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [Self bias 및 ICP E/H mode] [2] 2437
403 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [Sputter와 sheath, flux] [1] 2433
402 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [Paschen's Law, P-d 방전 곡선] [1] 2405
쓰기
태그

Boards

XE Login