Process Ta deposition시 DC Source Sputtreing

2022.11.19 05:11

TW 조회 수:2472

안녕하세요 

 

현재 반도체관련 회사에 재직중입니다. 

다름아니라  Ta material을 Deposition하는데 PVD에서는 DC Soruce sputtering을 이용해서 사용하는데 

RF source sputtering을 하게되면 어떤 단점이 있고 장점이 있을까요?

 

아님 Ta material에 대한 제한이 있는것 일까요? 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [333] 103707
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24746
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61602
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73555
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 106062
434 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [ESC 영역 온도 조절] [1] 2995
433 플라즈마 압력에 대하여 [Glow discharge와 light] [1] 2982
432 질문있습니다. [전자 에너지 분포함수 및 Maxwell 분포] [1] 2978
431 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [충돌 반응 및 전력 전달 모델] [1] 2971
430 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [Standing wave effect] [1] 2951
429 Load position관련 질문 드립니다. [Impedance matching] [1] 2943
428 PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning] [1] 2941
427 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [대기압 플라즈마와 라디컬 생성] [1] 2927
426 DRY Etcher Alarm : He Flow 관점 문의 드립니다. [O ring 결합부 근처 leak detect] [1] 2924
425 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [Ionization collision 및 Effective ionization energy] [1] 2913
424 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다.(챔버쪽 임피던스 검출) [플라즈마 특성과 장비 임피던스] [1] file 2888
423 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [최적 정합 조건 및 정합 시간] [2] 2888
422 매칭시 Shunt와 Series 값 [RF 전원 전력 전달 및 Load/Tune 계산] [1] 2872
421 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAT <-> STAGE HEATER 간 GAP과 DEPO 막질의 THK와의 연관성…. [Plasma property와 process control] [1] 2848
420 RF PLASMA를 사용한 J.R ESC DECHUCK에 대하여 문의드립니다. [Ionization과 chucking] [1] 2840
419 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [Etch와 remote plasma] [1] 2830
418 LF Power에의한 Ion Bombardment [플라즈마 장비 물리] [2] 2826
417 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [플라즈마 dielectric property] [4] 2823
416 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [Lorentz force와 magnetic confinement] [1] 2822
415 Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution] [1] 2816
쓰기
태그

Boards

XE Login