Others 고진공 만드는방법.

2017.12.15 22:16

즙즙 조회 수:1014

background pressure 이 10^-7이 되게 하려면

단순히 diffusion pump 와 rotary oil pump만을 이용해서 만들수있나요??


그리고 전체적인 구조는 어떻게 될가요. background pressure 가 10^-7이면 

ultrahigh vac을 만드려고 하는거 같은데 ion pump 나 TSP가 추가돼야 할까요?

단순하게 이론적으로 궁금하네요.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76864
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20264
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57197
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68750
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92661
397 Load position 관련 질문 드립니다. [1] 2450
396 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 2436
395 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 2435
394 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2398
393 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2362
392 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 2360
391 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 2358
390 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2353
389 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 2350
388 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2348
387 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2341
386 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 2340
385 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 2338
384 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2335
383 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2334
382 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? 2334
381 Wafer particle 성분 분석 [1] 2328
380 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2325
379 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2293
378 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 2287
쓰기
태그

Boards

XE Login