Others 플라즈마 절단기에서 발생 플라즈마

2004.06.19 16:44

관리자 조회 수:14910 추천:262

플라즈마 절단기에서 발생 플라즈마에 의해 발생하는 잡음 발생이 심각하다고 하셨습니다. 이를 제거하기 위해 전원부를 따로 쓰고 있고 차폐막도 설치했음에도 심호잡음이 계속 측정되고 있다고 하셨습니다.
일단 아크 플라즈마에서는 순간적인 아크 전류의 크기가 커서 발생 잡음은 매우 크고 이의 제거는 매우 어렵습니다. 일단 발생하는 잡음 신호의 주파수와 크기를 측정하실 필요가 있습니다. 이를 참고로 가장 염두에 두셔야 할 것은 차폐막과 전원부의 접지상태를 확인하시기 바랍니다. 잡음은 직류가 아진 고주파 교류신호임을 유의하여 접지 상태를 점검하고 차폐막의 형태나 설치 위치도 중요하니 설치 위치등을 다시 고려하시기 바랍니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102914
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24689
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61431
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73480
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105843
433 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [라디컬 측정 방법 및 세정 기술] [2] 2669
432 플라즈마볼 제작시 [전기장 형성 및 플라즈마 방전] [1] file 2682
431 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [Self bias 및 ICP E/H mode] [2] 2689
430 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [PECVD와 PACVD] [1] 2689
429 etching에 관한 질문입니다. [충돌 현상 및 이온화 과정] [1] 2695
428 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [Sputter와 sheath, flux] [1] 2706
427 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다. [플라즈마 특성변화와 SH impedance 변화] [1] 2728
426 Etch 공정(PE mode) Vpp 변동 관련. [Self bias 형성 과정과 전자의 에너지] [1] 2737
425 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [ESC coating와 dummy load] [1] 2760
424 안녕하세요. 교수님 ICP 관련하여 문의드립니다. [충돌 단면적 및 반응 계수] [2] 2775
423 doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2778
422 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [Paschen's Law, P-d 방전 곡선] [1] 2795
421 LF Power에의한 Ion Bombardment [플라즈마 장비 물리] [2] 2797
420 Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution] [1] 2802
419 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [Lorentz force와 magnetic confinement] [1] 2803
418 매칭시 Shunt와 Series 값 [RF 전원 전력 전달 및 Load/Tune 계산] [1] 2808
417 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [플라즈마 dielectric property] [4] 2811
416 산소 양이온의 금속 전극 충돌 현상 [플라즈마 표면 반응] [1] 2813
415 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [Etch와 remote plasma] [1] 2817
414 RF PLASMA를 사용한 J.R ESC DECHUCK에 대하여 문의드립니다. [Ionization과 chucking] [1] 2819

Boards


XE Login