Remote Plasma RPS를 이용한 SIO2 에칭

2020.05.15 23:53

유재민 조회 수:2424

안녕하세요 교수님

현재 반도체업에 종사하고 있습니다. 궁금한 게 있어서 질문드립니다.

FSG, USG 공정 후 RPS로 Chamber cleaning 을 진행하고

Ignition에 AR 을 사용, 에칭에 NF3를 단독으로 사용하고 있습니다.

1. NF3 단독 사용과 NF3에 O2를 추가했을 때 장단점이 무엇이 있을까요?

2. NF3가 해리되고 N이 생성되어 질화막을 형성하면 Particle 원인이 될 수 있을까요?

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] 77195
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20458
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57358
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68897
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92941
405 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 2489
404 Load position 관련 질문 드립니다. [1] 2472
403 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 2442
» RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2424
401 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 2419
400 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2400
399 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 2399
398 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 2389
397 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 2385
396 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2384
395 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2373
394 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 2368
393 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2365
392 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2363
391 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2359
390 Wafer particle 성분 분석 [1] 2347
389 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? 2347
388 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2347
387 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2329
386 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 2328

Boards


XE Login