안녕하세요. 반도체 회사에 근무하는 김화중입니다.

 

제목에 언급드린대로 CCP 구조에서 chamber에 쌓이는 막질에 의한 capacitance 변화가 어떻게 될지 예상해보던 중 잘 모르겠어서 질문드립니다.

 

비정질 물질을 사용하는 chamber에서 S/H에 depo 되는 막질이 쌓여감에 따라 capacitance 가 변화하고 이로 인해 impedance 가 변할걸로 예상되는데요. 변화 방향을 계산해보고 싶습니다.

 

막질 A,B가 쌓인다고 했을 때 A의 cap 값은  물질의 dielectric constant 에 비례하고 막의 두께에 반비례하게 계산하고 이 B도 마찬가지로 계산하여 원래 CCP의 cap과 막질로 의한 cap이 직렬로 연결된 구조로 봐서 총 cap 값을 계산하면 되는걸까요?

 

다른 질문들을 보면서 학습하던 중 교수님께서 답변 달아주신 "특히 CCP의 경우 전극과 벽면의 erosion 혹은 오염으로 인해 capacitance 특성이 바뀌었습니다. 표면적 변화와 피막의 절연층이 만드는 변화입니다" 라는 내용이 있던데 관련 자료를 찾기 힘들어 이렇게 질문드립니다. 너무 당연한 내용이라면 혹시 어떤 부분을 공부해보면 될지 조언해주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76538
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91694
384 Load position 관련 질문 드립니다. [1] 2417
383 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2385
382 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2357
381 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2345
380 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 2340
379 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? 2318
378 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 2306
377 Wafer particle 성분 분석 [1] 2303
376 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2295
375 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2294
» CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 2293
373 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 2292
372 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2285
371 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 2277
370 RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 2273
369 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 2270
368 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2252
367 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 2250
366 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2246
365 etching에 관한 질문입니다. [1] 2243

Boards


XE Login