Deposition RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다.

2017.08.14 17:40

장혁 조회 수:1874

안녕하세요, 저는 반도체 장비 회사에서 PECVD 설비를 개발하고 있는 이장혁이라고 합니다.


최근 개발하고 있는 설비의 CONTACT FILL 능력이 문제가 되고 있는데요, 일단 DEPO RATE 관점에서 원인을 찾으려고 하고 있습니다.


PECVD 공정의 D/R 에 영향을 주는 인자는 여러가지가 있겠지만 여기서 여쭤보고 싶은 건 FREQUENCY 인데요....


다른 조건이 고정되어 있을 때 FREQUENCY 가 높아지면 D/R 이 빨라지나요? 참고로 말씀드리면 DEPO 하는 막질은 TI 이고 PRECURSOR 로는 TICL4 를 사용합니다.  

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] 76791
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20229
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57178
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68722
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92430
371 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3213
370 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3306
369 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3319
368 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3326
367 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [2] 3327
366 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3396
365 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] 3420
364 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 3423
363 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] 3444
362 Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] 3460
361 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3527
360 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3538
359 ESC Cooling gas 관련 [1] 3542
358 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [3] 3548
357 방전에서의 재질 질문입니다. [1] 3558
356 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] 3631
355 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3652
354 Vpp, Vdc 측정관련 문의 [1] 3701
353 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3723
352 Descum 관련 문의 사항. [1] 3726
쓰기
태그

Boards

XE Login