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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73317
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413 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAT <-> STAGE HEATER 간 GAP과 DEPO 막질의 THK와의 연관성…. [Plasma property와 process control] [1] 2819
412 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [최적 정합 조건 및 정합 시간] [2] 2867
411 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다.(챔버쪽 임피던스 검출) [플라즈마 특성과 장비 임피던스] [1] file 2870
410 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [Ionization collision 및 Effective ionization energy] [1] 2878
409 DRY Etcher Alarm : He Flow 관점 문의 드립니다. [O ring 결합부 근처 leak detect] [1] 2884
408 Load position관련 질문 드립니다. [Impedance matching] [1] 2899
407 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [ESC 영역 온도 조절] [1] 2909
406 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [Standing wave effect] [1] 2913
405 PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning] [1] 2916
404 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [대기압 플라즈마와 라디컬 생성] [1] 2921
403 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [충돌 반응 및 전력 전달 모델] [1] 2932
402 Ashing 공정에 필요한 O2plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [전자 충돌 이온화 반응 해리 반응 흡착 반응] [1] 2939
401 질문있습니다. [전자 에너지 분포함수 및 Maxwell 분포] [1] 2952
400 플라즈마 압력에 대하여 [Glow discharge와 light] [1] 2955
399 ECR 플라즈마에 대해서 질문드립니다. [ECR과 uniformity] [1] 3022
398 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [Step ionization, Dissociative ionization] [1] 3042
397 RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power] [1] 3085
396 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 3113
395 SI Wafer Broken [Chucking 구동 원리] [2] 3142
394 [RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma] [1] 3188
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