안녕하세요.


저는 CVD로 탄소화합물을 합성하는 일을 하고 있습니다만, 진공장치, 플라즈마에 대해서는 전공분야가 아니다 보니 원천기술이 많이 부족합니다.


알곤 분위기의 CVD장비로 수소와 탄소 등의 가스를 사용하여 탄소화합물을 만들때 챔버 내부의 오염이 공정에 영향을 주는 것으로 파악되고 있는데, 추정하기를 챔버 내부의 산소 또는 수분의 영향으로 짐작하고 있습니다.

1. 챔버의 진공도를 어느 정도 낮추어야 산소나 수분의 영향을 거의 없도록 할 수 있을까요? 물론 UHV까지 낮추면 좋겠지만, 통상 10 -6승에서 10 -3승까지 운용하고 있는데, 이 정도의 진공도에서 산소나 수분의 영향이 어떤지 모르겠습니다.


2. 완전한 고진공(UHV)로 내리는 것 말고 산소나 수분을 효율적으로 제거하는 방법이 있는지요?

3. 챔버 내벽에 산소나 수분이 붙어 있다고 해도, 챔버 내부로 떨어져 공간에 있지 않다면(물론 내벽에서 떨어지면 공간에 있겠지만, 진공을 계속 뽑는중이라 제거가 되지 않는지?) 챔버 내부의 샘플에 영향을 줄지 아니면 외부로 배출되는 확률이 높은지 알 수 있을까요? 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] 76736
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20206
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57168
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68702
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92280
369 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3299
368 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3324
367 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [2] 3325
366 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3383
365 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] 3409
364 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 3414
363 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] 3443
362 Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] 3445
361 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3512
360 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3530
359 ESC Cooling gas 관련 [1] 3533
358 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [3] 3536
357 방전에서의 재질 질문입니다. [1] 3557
356 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] 3618
355 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3646
354 Vpp, Vdc 측정관련 문의 [1] 3690
353 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3708
352 Descum 관련 문의 사항. [1] 3721
» 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 3753
350 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] 3774

Boards


XE Login