ESC ESC Cooling gas 관련

2019.02.21 19:22

jake88 조회 수:3533

Etch공정에서 ESC Cooling gas로 He을 주로 사용하는데 열전도도가 좋고 불활성가스라는 이유로 많이 사용되는것으로 알고있습니다

비교적 원가가 저렴한 N2가스를 사용하는 경우도 있을까요? 열전도도 반응성이 N2또한 괜찮은것으로 알고있는데 혹시 문제가 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] 76738
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20206
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57168
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68702
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92284
369 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3299
368 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3324
367 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [2] 3325
366 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3384
365 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] 3409
364 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 3414
363 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] 3443
362 Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] 3446
361 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3512
360 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3530
» ESC Cooling gas 관련 [1] 3533
358 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [3] 3536
357 방전에서의 재질 질문입니다. [1] 3557
356 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] 3618
355 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3646
354 Vpp, Vdc 측정관련 문의 [1] 3690
353 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3708
352 Descum 관련 문의 사항. [1] 3721
351 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 3753
350 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] 3774

Boards


XE Login