Sheath Ion Energy와 RF matchin관련 질문입니다.

2017.08.03 10:57

세종 조회 수:9522

안녕하세요. 

저희 장비에서 RF는 상부와 하부로 나뉘어져 있고 하부 쪽에서 Vpp가 측정됩니다. 보통 이것과 Ion energy를 비례하게 해석하던데, 어떻게 연결 지어야 하는지 궁금합니다.

장비 설명에서 Vpp는 RF Matcher의 Position으로부터 도출되는 것이라고 설명되있었습니다.

즉 하부에서 RF reflect가 존재해야 Vpp가 계산된다는 것인데, 이것으로 어떻게 Ion Energy를 예상하는지...

일반적으로 입사되는 Ion이나 전자의 전하 움직임을 Reflect로 해석하는 것인가요?

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] 76769
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20224
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57175
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68720
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92367
370 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2268
369 etching에 관한 질문입니다. [1] 2262
368 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 2243
367 ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] 2242
366 플라즈마볼 제작시 [1] file 2241
365 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] 2240
364 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] 2233
363 양극 코로나 방전에 대한 질문입니다. [1] 2173
362 플라즈마 관련 기초지식 [1] 2132
361 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] 2131
360 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2054
359 LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 2022
358 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2021
357 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 2017
356 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 2011
355 chamber impedance [1] 2010
354 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 1993
353 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1986
352 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1986
351 ICP power와 ion energy사이의 관계에 대해서 문의드립니다. [2] 1974
쓰기
태그

Boards

XE Login