Skip to content
플홈
오시는 길
누구
질문방
검색
전체
Plasma in general
DC glow discharge
Collision
Sheath
Ion/Electron Temperature
Others
Plasma Source
ATM Plasma
CCP
ICP
Remote Plasma
Water Discharge Plasma
Others
Chamber component
Matcher
ESC
Pulse operation
Shower head
Chamber Impedance
Others
Monitoring Method
OES
Langmuir Probe
VI(Impedance) Sensor
B dot
Others
Process
Etch
Deposition
Sputtering
Ashing
Others
Etch
Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate
2020.07.09 13:00
도리
조회 수:2284
안녕하세요 교수님
Etch시 센터와 사이드 etch rate이 다를 경우 어떤 공정 파라미터를 조절해야 하나요?
댓글
1
목록
번호
제목
조회 수
공지
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[276]
76858
공지
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
20263
공지
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
57195
공지
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
68747
공지
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
[3]
92611
»
Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate
[1]
2284
376
etching에 관한 질문입니다.
[1]
2272
375
N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다.
[1]
2264
374
ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다.
[1]
2254
373
부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리
[1]
2249
372
플라즈마볼 제작시
[1]
2248
371
Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요?
[1]
2242
370
양극 코로나 방전에 대한 질문입니다.
[1]
2177
369
플라즈마 관련 기초지식
[1]
2148
368
플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다.
[1]
2138
367
ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요??
[1]
2076
366
doping type에 따른 ER 차이
[1]
2067
365
Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법
[1]
2064
364
LF Power에의한 Ion Bombardment
[2]
2055
363
RPG Cleaning에 관한 질문입니다.
[2]
2023
362
chamber impedance
[1]
2013
361
CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도
[1]
2007
360
식각 시 나타나는 micro-trench 문제
[1]
2007
359
플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다.
[1]
2006
358
ICP power와 ion energy사이의 관계에 대해서 문의드립니다.
[2]
1982
Boards
Close Login Layer
XE Login
아이디
비밀번호
로그인 유지
회원가입
ID/PW 찾기
인증메일 재발송
Close Login Layer