안녕하십니까 플라즈마 입문단계를 공부하고 있는 전기공학과 학생입니다.

다름이 아니라 공부를 하는 중에 플라즈마 소스 부분에 직류 글로우 방전에서 r-process 부분에서 2차 방출이 일어나는데

여기서 이차전자가 이온화를 잘시키는 것으로 알고 있습니다. 하지만 이온은 그에 비해 잘 시키지 못한것 같습니다

정리하자면 플라즈마에서 이온은 전자에 비해 중성종을 이온화시키기 어려운 이유가 무엇일까요?

기본적인 내용인데 많이 부족해서 모르겠습니다.

부탁드립니다!! 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 103046
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24695
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61464
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73496
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105882
413 LF Power에의한 Ion Bombardment [플라즈마 장비 물리] [2] 2806
412 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [Paschen's Law, P-d 방전 곡선] [1] 2796
411 doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2782
410 안녕하세요. 교수님 ICP 관련하여 문의드립니다. [충돌 단면적 및 반응 계수] [2] 2775
409 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [ESC coating와 dummy load] [1] 2768
408 Etch 공정(PE mode) Vpp 변동 관련. [Self bias 형성 과정과 전자의 에너지] [1] 2741
407 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다. [플라즈마 특성변화와 SH impedance 변화] [1] 2731
406 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [Sputter와 sheath, flux] [1] 2710
405 etching에 관한 질문입니다. [충돌 현상 및 이온화 과정] [1] 2703
404 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [PECVD와 PACVD] [1] 2700
403 플라즈마볼 제작시 [전기장 형성 및 플라즈마 방전] [1] file 2698
402 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [Self bias 및 ICP E/H mode] [2] 2689
401 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [라디컬 측정 방법 및 세정 기술] [2] 2675
400 플라즈마 실험을 하고 싶은 한 고등학생입니다. [Experiment와 KFE] [1] 2666
399 plasma etching을 관련 문의드립니다. [반도체 공동 연구소] [1] 2637
398 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [Plasma information variable model] [1] 2628
397 Wafer particle 성분 분석 [플라즈마 세정] [1] 2627
396 Remote Plasma가 가능한 이온 [Remote plasma와 diffusion] [1] 2617
395 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [MFC와 residence time] [1] 2604
394 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [Self bias의 이해] [1] 2590

Boards


XE Login