Sheath LF Power에의한 Ion Bombardment

2021.06.24 22:36

PEOX 조회 수:2223

안녕하십니까 교수님!!.

가입없이 게시판으로 많은 가르침을 받아가다가 이제서야 질문이 있어 가입후 글을 쓰게 되었습니다.

 

PECVD에서..

HF는 electron 온도 증가로 인한 plasma density 향상

 

LF POWER의 증가는 ion bombardment 를 증가시켜 박막이 더 dense 해져 stress가 더 compressive쪽으로 간다라고 이해하는게 맞는 걸까요? 

density가 높아지는데 compressive한 stress를 가진다고 하는 매커니즘이 잘 이해가 되질 않습니다.

(density가 높으면 (더 빽빽하게 증착되면) 밀려서 사이드쪽으로 늘어날려고 해서 compressive 스트레스를 가진다라고 혼자 이해했는데 맞는건지요.

 

막질의 density가 올라가면 compressive한 스트레스를 가지는게 항상 그런건지

(원래 Tensile한 막질이더라도 LF power 증가하면 Compressive한 방향으로 바뀌나요?)

 

아니면 막질마다 그 효과가 다른건지 궁금합니다. 

 

 

 

추가로 HF영역에서는 frequency가 높으니 유효질량이 작고 mobility가 빠른 electron에 에너지를 더 가해주기 쉽고 

반대로 LF영역에서는  frequency가 낮으니 상대적으로 질량이 크고 느린 ion에 에너지를 가해주기 쉽다고 이해하는게 맞는걸까요?

 

 

 

질문자체에 잘 못된 점이 있다면 바로 잡아주시면 감사하겠습니다!.  

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [300] 77777
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20736
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57655
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69156
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93429
397 ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] 2368
396 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? 2367
395 etching에 관한 질문입니다. [1] 2346
394 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] 2316
393 RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 2303
392 플라즈마볼 제작시 [1] file 2291
391 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] 2276
390 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2251
389 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 2236
» LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 2223
387 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] 2206
386 플라즈마 관련 기초지식 [1] 2203
385 양극 코로나 방전에 대한 질문입니다. [1] 2198
384 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 2172
383 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 2116
382 플라즈마 실험을 하고 싶은 한 고등학생입니다.... [1] 2105
381 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2103
380 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 2099
379 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 2084
378 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 2074

Boards


XE Login