CCP CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요?

2021.09.09 15:47

피했습니다 조회 수:3555

안녕하세요 교수님. 언제나 성심성의것 답변해주셔서 공부를 하는데 큰 도움을 받고 있습니다.

 

저는 ICP, CCP 모두 다루는 반도체 장비 회사에 다니고 있는 엔지니어 입니다.

 

관찰해보면 CCP 장비에서 Arcing 문제가 더 많이 발생하고 있습니다.

 

 

어떤 이유 때문에 ICP보다 CCP 구조에서 Arcing이 더 많이 발생하는 걸까요?

 

전극 사이의 거리가 가까워서 그런건가요?

 

 

 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] 76816
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20246
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57186
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68739
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92575
375 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2279
374 etching에 관한 질문입니다. [1] 2267
373 ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] 2251
372 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 2250
371 플라즈마볼 제작시 [1] file 2245
370 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] 2245
369 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] 2237
368 양극 코로나 방전에 대한 질문입니다. [1] 2175
367 플라즈마 관련 기초지식 [1] 2141
366 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] 2136
365 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 2067
364 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2063
363 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2049
362 LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 2037
361 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 2019
360 chamber impedance [1] 2012
359 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 2000
358 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1999
357 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1998
356 ICP power와 ion energy사이의 관계에 대해서 문의드립니다. [2] 1979
쓰기
태그

Boards

XE Login