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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 75428
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395 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [웨이퍼 근방 쉬스 특성, Edge ring] [2] 3275
394 [RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma] [1] 3286
393 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 3295
392 Ashing 공정에 필요한 O2plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [전자 충돌 이온화 반응 해리 반응 흡착 반응] [1] 3300
391 SI Wafer Broken [Chucking 구동 원리] [2] 3307
390 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [LF와 Sheath] [1] 3338
389 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [표면 전위 생성 및 방전] [3] 3434
388 임피던스 매칭회로 [전기공학 회로 이론 및 impedance matching] [1] file 3446
387 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [MFC와 H2 gas retention] [3] 3452
386 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [전극 표면 전위] [1] 3453
385 VI sensor를 활용한 진단 방법 [Monitoring과 target] [2] 3515
384 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [DC 글로우 방전 및 Breakdown] [1] 3612
383 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [소수/친수성 조절 연구] [1] 3638
382 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [ONO 공정 중 질화막 모니터링] [2] 3683
381 Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath] [1] 3708
380 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [회로 모델 및 부품 impedance] [3] 3809
379 코로나 방전의 속도에 관하여 [코로나 방전의 이해] [1] 3825
378 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time] [1] 3847
377 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [Maxwallian EEDF] [2] 3850
376 방전에서의 재질 질문입니다. [방전과 전압] [1] 3851
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