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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 65707
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266 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 1502
265 Remote Plasma 가 가능한 이온 [1] 1497
264 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 1494
263 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 1491
262 ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] 1491
261 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 1488
260 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] 1474
259 ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] 1471
258 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 1463
257 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1449
256 RF generator 관련 문의드립니다 [3] 1442
255 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 1440
254 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 1428
253 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 1397
252 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] 1387
251 O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] 1380
250 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 1373
249 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1352
248 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [1] 1342
247 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] 1334

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