CCP CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점.

2010.01.28 19:44

kailo 조회 수:23262 추천:157

안녕하세요? 궁금한게 있어서 여쭤봅니다.
Source는 CCP방식입니다. 13.56MHz로 구동되고 matcher 단에서 low pass filter를 통해 나오는 Vdc 값을 모니터링합니다.
그런데 Source 전극에 anodizing처리를 했는데 품질이 좋지 못한 anodizing의 경우에는 Vdc 값이 "-"로 뜨는데 고품질 anodizing의 경우에는 "+"값을 띕니다.
고품질의 경우에는 CCP 소스면에서 완전히 floating되어서 그러는것 같은데
정확한 메카니즘을 이해할 수 없어서 문의드립니다.
왜 "+"값을 나타내는지에 대해 설명해 주실수 있는지요?
플라즈마 방전은 저품질이나 고품질 모두 이상없이 뜹니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [270] 76746
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20216
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57169
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68706
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92304
329 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5679
328 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5812
327 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5858
326 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5903
325 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5927
324 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 6003
323 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6071
322 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 6183
321 자료 요청드립니다. [1] 6207
320 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6251
319 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [2] 6272
318 공동형 플라즈마에서 구리 전극의 식각 문제 [2] 6365
317 액체 안에서의 Dielectric Barrier Discharge에 관하여 질문드립니다! [1] 6410
316 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6414
315 플라즈마 기술관련 문의 드립니다 [1] 6418
314 O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [1] 6438
313 저온플라즈마에 대하여 ..질문드립니다 ㅠ [1] 6465
312 플라즈마 건식식각 장비 부품 정전척 공정 진행 후 외각 He-hole 부위 burning 현상 매카니즘 문의.. [1] 6472
311 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6493
310 플라스마 상태에서도 보일-샤를 법칙이 적용 되나요? [1] 6540

Boards


XE Login