안녕하십니까

플라즈마 발생을 억제시킬수 있는 방법은 무엇인지 어쭙고자 글을 올리게 되었습니다.

고주파 유도가열(3MHz)을 이용하여 실리콘(Si)을 가열하여 아르곤 분위기에서 실리콘 결정성장을 시키고 있습니다.

(코일은 팬케이크 형태임.)결정 성장을 시킬때 가끔씩 코일에 플라즈마가 발생하며,이로인해 코일arcing이 가끔 발생하여 코일이

소손되는것 같습니다.

플라즈마 발생을 억제시킬수 있는 방법이 없을지 문의 드립니다.


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] 76739
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20211
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57168
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68703
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92294
329 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 1797
328 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1795
327 터보펌프 에러관련 [1] 1758
326 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 1751
325 ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] 1739
324 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1731
323 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] 1703
322 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1689
321 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] 1686
320 RF 전압과 압력의 영향? [1] 1678
319 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] 1670
318 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1661
317 Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] 1661
316 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 1646
315 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] 1609
314 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] 1609
313 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 1603
312 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] file 1599
311 O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] 1562
310 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] 1533

Boards


XE Login