안녕하세요.

지난 서울대에서 기술교류회에 참석했던 성균관대학교 학생 중 한명인 가두현 이라고 합니다.

이제 막 반도체 공정에 대해 공부를 하고 있는 대학원생인데요.

etching시 Trench와 via를 어떻게 구분을 하는건지 궁금해서 글을 남깁니다.

trench와 via를 BEOL과 FEOL에서 따로 구분을 하는건지 헷갈리네요.

이상입니다. 수고하세요~

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102998
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24693
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61455
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73494
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105867
373 코로나 전류에 따른 발생되는 이온의 수와, 하전에 영향을 미치는 요소에 대해서 질문드립니다. [Corona breakdown, current density] [1] 1012
372 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [ER과 energy transport] [1] file 7015
371 플라즈마 압력에 대하여 [Glow discharge와 light] [1] 2965
370 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [Arc와 cleaning] [1] 4059
369 활성이온 측정 방법 [한국 기계 연구소 송영훈 박사팀] [1] 799
368 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [Byproduct와 gas flow, cleaning] [1] 1734
367 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [ESC coating와 dummy load] [1] 2767
366 ICP와 CCP에서의 Breakdown voltage [Breakdown과 E-H transition] [1] 2141
365 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [Sputter와 sheath, flux] [1] 2709
364 Remote Plasma가 가능한 이온 [Remote plasma와 diffusion] [1] 2616
363 CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [Wafer bias와 chuck cap] [1] 2133
362 DBD Plasma Actuator 원리에 대한 질문입니다. [DBD와 "industrial plasma engineering"] [1] 1178
361 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1300
360 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요 [RF power와 power factor] [1] 1659
359 DC bias (Self bias) ["Glow discharge processes"] [3] 11962
358 ICP와 CCP의 차이 [Self bias와 Maxwellian distribution] [3] 13087
357 새집 증후군 없애는 플러스미- 플라즈마에 대해서 [광운대 플라즈마바이오연구센터] [1] 1078
356 RF FREUNCY와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [CCP와 ionization] [1] 2246
355 Ion Energy와 RF matchin관련 질문입니다. [Self bias와 matcher] [1] 9797
354 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [MFC와 H2 gas retention] [3] 3301

Boards


XE Login