안녕하세요.

반도체업계에서 근무하는 김상완 사원입니다.

Sputter의 지식이 부족하여 질문 올립니다.

배경: PM후 Deporete Check까지는 이상이 없었습니다.

           하루지나고 공정진행시에 반사율 및 Peak 이상 현상이 발생되고 있습니다.

 질문: 공정 진행시에 VDC가 급격하게 상승하여 증착에 이상이 발생되고 있는것으로 보여지는데요.

           Ar은 일정하게 주입되고 있고 다른것도 문제가 없습니다.

          Sputtering 중 VDC가 405~420 가량 유지하다가,

           갑자기 560~570으로 변화하는 이유는 무엇일까요....

         

          

          

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] 76766
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20223
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57173
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68714
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92349
330 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 1809
329 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1797
328 터보펌프 에러관련 [1] 1763
327 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 1753
326 ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] 1742
325 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1735
324 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] 1703
323 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1692
322 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] 1687
321 RF 전압과 압력의 영향? [1] 1679
320 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] 1671
319 Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] 1662
318 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1662
317 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 1651
316 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] 1615
315 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] 1610
314 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 1605
313 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] file 1600
312 O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] 1562
311 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] 1533

Boards


XE Login