Collision Sputtering 중 VDC가 갑자기 변화하는 이유는 무엇인가요?
2012.02.16 05:21
안녕하세요.
반도체업계에서 근무하는 김상완 사원입니다.
Sputter의 지식이 부족하여 질문 올립니다.
배경: PM후 Deporete Check까지는 이상이 없었습니다.
하루지나고 공정진행시에 반사율 및 Peak 이상 현상이 발생되고 있습니다.
질문: 공정 진행시에 VDC가 급격하게 상승하여 증착에 이상이 발생되고 있는것으로 보여지는데요.
Ar은 일정하게 주입되고 있고 다른것도 문제가 없습니다.
Sputtering 중 VDC가 405~420 가량 유지하다가,
갑자기 560~570으로 변화하는 이유는 무엇일까요....
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [235] | 75788 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 19472 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56679 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68067 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 90361 |
298 | 플라즈마 실험을 하고 싶은 한 고등학생입니다.... [1] | 1634 |
297 | 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] | 1606 |
296 | 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] | 1601 |
295 | Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] | 1594 |
294 | Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] | 1587 |
293 | 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] | 1581 |
292 | PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] | 1563 |
291 | CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] | 1559 |
290 | CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] | 1558 |
289 | CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] | 1534 |
288 | Pecvd 장비 공정 질문 [1] | 1521 |
287 | 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] | 1516 |
286 | O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] | 1500 |
285 |
전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다.
[1] ![]() | 1499 |
284 | RF 전압과 압력의 영향? [1] | 1490 |
283 | EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] | 1481 |
282 | ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] | 1472 |
281 | 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] | 1462 |
280 | Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] | 1447 |
279 | Impedence 위상관련 문의.. [1] | 1414 |