Ion/Electron Temperature 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [Radio-Frequency Plasma]

2016.01.04 17:14

변리왕 조회 수:1960

안녕하세요, 플라즈마에 대해서 공부 중인 학생입니다.

다중 주파수를 이용한 ccp 타입의 플라즈마 식각 장치에서 바이어스 전극에 저주파 전력을 인가함으로써, 이온 입사에너지를 증대된다고 배웠는데요. 어떠한 이유로 저주파 전력을 인가시, 이온 입사 에너지가 증대되는지 궁금해서 질문을 남기게 되었습니다.

그리고, 다중 주파수를 이용한 ccp 타입의 플라즈마 식각장치에서 전극에 고주파 전력을 인가함으로써, 플라즈마 밀도에 정상파 효과가 발생한다고 해당 랩의 논문에서 읽었는데요. 어떠한 이유로 정상파 효과가 발생하고, 고주파 전력을 100MHz --> 60MHz로 변경시 정상파 효과가 줄어드는지 궁금해서 질문을 남기게 되었습니다.

답변을 주시면, 공부하는데 많은 도움이 될 것같습니다.  답변을 부탁드립니다.(- -)(_ _)(- -)

감사합니다. 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 103097
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24696
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61476
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73500
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105900
373 플라즈마 띄울때..ㅠㅠ!!? [Breakdown voltage 및 이온화 에너지] [1] 2289
372 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias] [1] 2278
371 RF 전압과 압력의 영향? [DC glow 방전, Paschen's Law] [1] 2276
370 RF FREUNCY와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [CCP와 ionization] [1] 2248
369 N2 Blowing Ionizer 사용 시 궁금점 질문 드립니다. [N2 Ionizer 이온 및 중성 입자 해석] [1] 2227
368 PECVD 증착에서 etching 관계 [PECVD 증착] [1] 2205
367 ICP 내부 기체 비율에 따른 spectrum intensity 변화 [Excitation transfer 반응과 방사천이율] [1] 2201
366 13.56MHz resonator 해석 관련 문의 [Resonator의 matching] [1] 2159
365 ICP와 CCP에서의 Breakdown voltage [Breakdown과 E-H transition] [1] 2143
364 유도결합 플라즈마 소스 질문!!!? [전기장 내 입자 거동] [2] 2134
363 CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [Wafer bias와 chuck cap] [1] 2133
362 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [Plasma chemistry] [3] 2103
361 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [Plasma spectroscopy] [1] 2101
360 Pecvd장비 공정 질문 [Dusty plasma와 벽면 particle 제어] [1] 2100
359 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [Matcher와 Plasma Impedence] [1] 2083
358 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [Intensity 넓이 계산] [1] 2076
357 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [고전압 방전 및 DBD] [2] 2074
356 plasma 형성 관계 [Paschen's law, 플라즈마 주파수] [1] 2070
355 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [DC bias 형성 판단] [1] 2070
354 터보펌프 에러관련 [터보 펌프 구동 압력] [1] 2068
쓰기
태그

Boards

XE Login