Others O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [Global model]

2017.02.22 22:41

opqr908 조회 수:1712

안녕하세요 서울대학교 박사과정 학생입니다. 

실험을 설계하는중 플라즈마 공정에 관해서 모르는 점이 많아서 여쭤봅니다. 

O2 Plasma etch공정에서 저희가 sample이 받는 Total 플라즈마 에너지 혹은 etch rate을 일정하게 
유지하면서 Power를 바꿔보고싶습니다. 가스 flow rate 와 가스 종류, 시간은 바꾸지 않고 power와 pressure만 컨트롤 해서 유지가 가능할까요? 이렇게 할 경우에 Power가 바뀔시 Pressure가 어떤식으로 바껴야 Plasma energy를 가능한 일정하게 유지할 수있는지를 알수있는 식이나 상관관계가 있나요? 
예를 들어서,  power: 50W, 에서 100W로 두배 올릴때 압력은 어떤 변화를 가지게 되나요?
정확한 수치를 계산하는 목적이 아닌 대략적으로라도 실험을 일관성 있게 진행하려는 목적으로 질문을 드립니다. 
답변 부탁드리겠습니다. 
 
 
감사합니다. 
이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102989
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24692
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61454
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73492
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105865
373 플라즈마 띄울때..ㅠㅠ!!? [Breakdown voltage 및 이온화 에너지] [1] 2289
372 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias] [1] 2277
371 RF 전압과 압력의 영향? [DC glow 방전, Paschen's Law] [1] 2275
370 RF FREUNCY와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [CCP와 ionization] [1] 2246
369 N2 Blowing Ionizer 사용 시 궁금점 질문 드립니다. [N2 Ionizer 이온 및 중성 입자 해석] [1] 2227
368 PECVD 증착에서 etching 관계 [PECVD 증착] [1] 2201
367 ICP 내부 기체 비율에 따른 spectrum intensity 변화 [Excitation transfer 반응과 방사천이율] [1] 2201
366 13.56MHz resonator 해석 관련 문의 [Resonator의 matching] [1] 2157
365 ICP와 CCP에서의 Breakdown voltage [Breakdown과 E-H transition] [1] 2141
364 CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [Wafer bias와 chuck cap] [1] 2133
363 유도결합 플라즈마 소스 질문!!!? [전기장 내 입자 거동] [2] 2133
362 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [Plasma chemistry] [3] 2103
361 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [Plasma spectroscopy] [1] 2100
360 Pecvd장비 공정 질문 [Dusty plasma와 벽면 particle 제어] [1] 2094
359 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [Matcher와 Plasma Impedence] [1] 2083
358 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [Intensity 넓이 계산] [1] 2073
357 plasma 형성 관계 [Paschen's law, 플라즈마 주파수] [1] 2070
356 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [DC bias 형성 판단] [1] 2070
355 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [고전압 방전 및 DBD] [2] 2070
354 터보펌프 에러관련 [터보 펌프 구동 압력] [1] 2067
쓰기
태그

Boards

XE Login