안녕하세요. 반도체 장비업체에서 근무하는 권보경입니다.

 

icp descum 장비에서 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상이 발생합니다.

Etch Rate이 감소하는 것은 있을 수 있는 일이지만 50% 이하로 나빠진 상태입니다.

어떤 변수들이 있을 수 있는지, 하드웨어 적으로는 어떤 점을 개선해야 하는지 궁금합니다.

 

또한 다른 site에 있는 동일 장비에서는 같은 조건에서 Er이 크게 떨어지지 않는데

source power의 차이로 인한 열전달효율이 크게 다르기 때문이라고 볼 수 있는지요.

맞다면 이에 해당하는 공식이 무엇인지 알고 싶습니다.

 

답변 해주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102998
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24693
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61455
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73494
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105867
373 플라즈마 띄울때..ㅠㅠ!!? [Breakdown voltage 및 이온화 에너지] [1] 2289
» wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias] [1] 2277
371 RF 전압과 압력의 영향? [DC glow 방전, Paschen's Law] [1] 2275
370 RF FREUNCY와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [CCP와 ionization] [1] 2246
369 N2 Blowing Ionizer 사용 시 궁금점 질문 드립니다. [N2 Ionizer 이온 및 중성 입자 해석] [1] 2227
368 PECVD 증착에서 etching 관계 [PECVD 증착] [1] 2202
367 ICP 내부 기체 비율에 따른 spectrum intensity 변화 [Excitation transfer 반응과 방사천이율] [1] 2201
366 13.56MHz resonator 해석 관련 문의 [Resonator의 matching] [1] 2157
365 ICP와 CCP에서의 Breakdown voltage [Breakdown과 E-H transition] [1] 2141
364 CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [Wafer bias와 chuck cap] [1] 2133
363 유도결합 플라즈마 소스 질문!!!? [전기장 내 입자 거동] [2] 2133
362 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [Plasma chemistry] [3] 2103
361 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [Plasma spectroscopy] [1] 2100
360 Pecvd장비 공정 질문 [Dusty plasma와 벽면 particle 제어] [1] 2095
359 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [Matcher와 Plasma Impedence] [1] 2083
358 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [Intensity 넓이 계산] [1] 2073
357 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [고전압 방전 및 DBD] [2] 2071
356 plasma 형성 관계 [Paschen's law, 플라즈마 주파수] [1] 2070
355 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [DC bias 형성 판단] [1] 2070
354 터보펌프 에러관련 [터보 펌프 구동 압력] [1] 2068

Boards


XE Login