Etch stop control 장치인 EPD ( End Point Detector)를 공부하고있는 최상봉입니다.

플라즈마가 형성되는 영역과 Sheath 영역으로 구분되는데, Sheath영역에는 전자만 존재한다고 들었습니다.

플라즈마 영역에서의 레디칼과 바이 Product을 OES로 모니터한다는데

질문1] Sheath 영역에서는 Etch 상태를 어떻게 모니터링 할 수 있을까요? 

질문2] 온도측정 시 Sheath 영역과 플라즈마 영역의 온도가 다른가요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [300] 77857
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20762
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57682
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69186
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93512
356 가입인사드립니다. [1] 1890
355 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1890
354 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! 1884
353 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 1858
352 ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] 1824
351 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1821
350 터보펌프 에러관련 [1] 1810
349 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] 1780
348 RF 전압과 압력의 영향? [1] 1773
347 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1769
346 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 1755
345 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] 1749
344 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] 1740
343 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1736
342 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] 1712
341 Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] 1709
340 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] 1687
339 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 1684
338 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1666
337 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [1] 1661

Boards


XE Login