Matcher Virtual Matching [Impedance matching]

2004.06.25 11:01

관리자 조회 수:16991 추천:364

질문 ::

안녕 하십니까?
저희 회사에서는 반도체 공정중 Dry Etching장비를 생산하고 있는 회사인데
개인적으로 몇가지 궁금한 점이 있어서 도움을 청합니다.
저희 Matching Network는 Coil을 이용하여 Power전달 및 Phase를 조정하고 또 Capacitor를 움직여 Impedance를 조정하는 방식을 사용하고 있습니다.
Source는 Multi Pole ICP Type입니다.
그런데 저희 장비에서 가끔 Source RF On시 Plasma가 Chamber내에서 발생하지 않음에도 불구하고 Reflect RF가 0watt로 Matching되는 현상이 가끔 일어나고 습니다.
왜 이러한 가상 Matching이 일어나는지에 대하여 알고 계시면 답변을 부탁
드리겠습니다.
그리고 이러한 문제를 해결하기 위해서는 어떠한 실험 방법이 있는지에 대하여 도움을 부탁 드립니다.
참고로 이러한 문제점으로 인하여 ∏Type의 Matching Network를 사용하여 보았지만 동일한 문제가 가끔 발생하고 있습니다.
또 현재 Dry Etch에서의 요즘 기술 추이는 Chamber 내부에 Anodizing을 하여
Chamber내부의 부식과 Metal오염을 방지하는 목적으로 사용을 하고 있는데
이로 인하여 Chamber내부의 Anode면적이 줄어들어 다른 문제가 발생할 소지는 없는지요. 예를들어 Self Bias의 값이 줄을 가능성은 없는지..
아니면 다른 문제의 가능성은 없는지에대하여 경험이나 지식이 있으시면
답변을 부탁 드리겠습니다.


답변 :: (정만환)

저의 의견이 도움이 될런지 모르겠습니다.
저의 경험으로 보면 문의하신 내용은 Impedance matching이 되지
않은 상태라고 보여집니다.
reflect power가 0[watt]이면 보통 match가 되었다고 보아도 무방합니다. 하지만 match controller의 성능이 좋다면?? auto match mode일때는 impedance match가 100%이루어 지지 않더라도 reflect가 나타나지
않는다는 겁니다.  하지만, 실제 power loss는 생기는것이지요.
실제 match controller나 RF->Match->load 사이에 열 방생이 있을겁니다.
질문하신사항중에. self bias를 문의하셨는데요..
아시겠지만, 면적에 4승에 비례하기 때문에 큰 문제는 없을 것으로
보여지구요.
혹시 impedance anlyzer가 있으면(이것은 고가장비입니다.)check해보는 것이 가장 확실한 방법입니다.
phase, current, R, X .. 거의 모든 값을 다볼수있죠. 좋은장비입니다.
RF generator가 50옴, 케이블 50옴,
-> 여기에 Match + Load(무엇이지를 잘 모르지만은요)가 50옴이 되어야 된다는 겁니다.  
이것을 해결하기위해서는 load capacitor 와 tune capacitor를 움직여
맞춰어 주어야 하는데요. 해결되지 않으면 load에 대하여
Match spec이 많지 않은것입니다.
이것이 되지 않을 경우에는 다른 해결방안이 있기는 하지만, 먼저 위의 사항부터 체크하는것이 좋을듯합니다.
별 내용없이 길어 진것 같은데요.. 궁금한것이 있는데요.
처음 셋업하시는건가요. 아님 사용하던 것인지.
조금더 도움이 필요하시면 연락주세요. 제가 아는만큼 공개하도록 하겠습니다

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102810
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24682
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61401
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73469
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105812
373 CVD 공정에서의 self bias [이차 전자 생성, 입사 이온 에너지 분포] [1] 3946
372 ESC Cooling gas 관련 [ESC 온도 제어] [1] 3968
371 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [Arc와 cleaning] [1] 4055
370 RF matcher와 particle 관계 [DC glow 방전, 플라즈마 임피던스] [2] 4064
369 Bias 관련 질문 드립니다. [Ion plasma frequency] [1] 4084
368 the lines of magnetic induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [Ideal MHD plasma의 magnetic flux conservation] [1] file 4110
367 DC스퍼터링과 RF 스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [플라즈마 생성과 Sputtering] [2] 4202
366 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [표면 하전 특성 및 chucking 불안정성] [1] 4207
365 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [Etch와 IEDF] [2] 4215
364 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [Breakdown 전기장, 아크 방전] [3] 4224
363 Vpp, Vdc 측정관련 문의 [Self bias와 DC offset] [1] 4229
362 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [Standing wave 및 플라즈마 밀도 분포] [1] 4242
361 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [하전에 의한 전기장 형성 및 방전 시간] [1] 4253
360 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다 [고주파 플라즈마 반응 특성] [2] 4306
359 Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [Gas별 고유한 플라즈마 색] [1] 4329
358 Plasma 표면 개질에 대해 질문드립니다. [O2 플라즈마와 Ar 플라즈마] [1] 4340
357 Descum 관련 문의 사항. [라디컬 및 이온 생성과 플라즈마 생성 메커니즘] [1] 4379
356 Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리] [1] 4380
355 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [플라즈마 주파수와 Vpp, sheath] [1] 4388
354 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [Child-Langmuir sheath model] [2] 4422

Boards


XE Login