Etch poly식각을 위한 조언 부탁드립니다.

2016.10.21 09:19

지오반니 조회 수:1490

아래 그림과 같이 SiN위에 poly 식각을 하려 합니다.

poly 주변에는 산화막이 형성되어있는 상태입니다.

바닥 poly의 damage는 줄이면서 상단 poly만 제거하고 싶은데

효과적인 방법이 있을까요? 조언 부탁드립니다.


이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [313] 79361
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21294
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58094
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69649
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 94490
364 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [플라즈마 생성 분포와 sheath 전기장] [1] 1956
363 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias] [1] 1953
362 CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [Wafer bias와 chuck cap] [1] 1945
361 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! 1940
360 CVD품질과 RF Delibery power 관계 질문 [RF power와 plasma information] [1] 1929
359 가입인사드립니다. [1] 1928
358 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [Standing wave 운전 조건, 안테나 설계] [1] 1899
357 Ashing 공정에 필요한 O2plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [전자 충돌 이온화 반응 해리 반응 흡착 반응] [1] 1898
356 RF 전압과 압력의 영향? [DC glow 방전, Paschen's Law] [1] 1877
355 ICP와 CCP에서의 Breakdown voltage [Breakdown과 E-H transition] [1] 1871
354 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [Plasma chemistry] [3] 1850
353 터보펌프 에러관련 [터보 펌프 구동 압력] [1] 1845
352 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [Plasma spectroscopy] [1] 1826
351 Pecvd장비 공정 질문 [Dusty plasma와 벽면 particle 제어] [1] 1820
350 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [플라즈마 임피던스, 운전압력조절 방전 조건] [1] 1807
349 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [Radio-Frequency Plasma] [1] 1785
348 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [Faraday shield] [1] 1755
347 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [Matcher와 Plasma Impedence] [1] 1754
346 ICP reflecot power [Insulator와 rf leak] [1] 1750
345 Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [ICP match impedance] [1] 1748
쓰기
태그

Boards

XE Login