안녕하세요 반도체회사에서 CVD 공정에서 근무하고있는 사람입니다.

 

몇가지 질문이 있어 글을 올립니다.

 

1. 현재 CCP를 이용한 설비를 사용하고 있으며, RF/LF를 사용하고있는데 RF/LF의 역할에 대해 궁금합니다. RF는 전자에 거동에 영향을 주고 LF는 이온 거동에 영향을 준다고 간단하게만 알고있는데 이 내용이 맞는지요?

 

2. 현재 TEOS를 사용하여 CVD하고 있는 레시피 중 LF POWER가 낮은 레시피의 CVD 막질 두께의 UNIFOMITY가 LF POWER를 높게 쓰는 막질 두께의 UNIFORMITY보다 불량합니다. LF POWER가 낮은것이 막질 THK의 UNIFORMITY의 영향을 주는 것 일까요?

 

3. HF POWER의 세기도 CVD 막질 THK의 UNIFORMITY의 영향을 주는지 알고싶습니다.

 

마지막으로 항상 좋은 답변 좋은 내용 올려주셔서 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102882
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24689
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61425
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73479
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105836
373 플라즈마 띄울때..ㅠㅠ!!? [Breakdown voltage 및 이온화 에너지] [1] 2288
372 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias] [1] 2277
371 RF 전압과 압력의 영향? [DC glow 방전, Paschen's Law] [1] 2274
370 RF FREUNCY와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [CCP와 ionization] [1] 2245
369 N2 Blowing Ionizer 사용 시 궁금점 질문 드립니다. [N2 Ionizer 이온 및 중성 입자 해석] [1] 2226
368 PECVD 증착에서 etching 관계 [PECVD 증착] [1] 2201
367 ICP 내부 기체 비율에 따른 spectrum intensity 변화 [Excitation transfer 반응과 방사천이율] [1] 2201
366 13.56MHz resonator 해석 관련 문의 [Resonator의 matching] [1] 2157
365 ICP와 CCP에서의 Breakdown voltage [Breakdown과 E-H transition] [1] 2141
364 CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [Wafer bias와 chuck cap] [1] 2133
363 유도결합 플라즈마 소스 질문!!!? [전기장 내 입자 거동] [2] 2132
362 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [Plasma chemistry] [3] 2101
361 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [Plasma spectroscopy] [1] 2099
360 Pecvd장비 공정 질문 [Dusty plasma와 벽면 particle 제어] [1] 2087
359 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [Matcher와 Plasma Impedence] [1] 2082
358 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [Intensity 넓이 계산] [1] 2071
357 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [고전압 방전 및 DBD] [2] 2070
356 plasma 형성 관계 [Paschen's law, 플라즈마 주파수] [1] 2069
355 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [DC bias 형성 판단] [1] 2069
354 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! 2066

Boards


XE Login