안녕하세요 교수님, ICP Dry etching을 활용한 High-k , Oxide semiconductor patterning 연구를 진행중인 석사과정 학생입니다.


제가 사용하는 Dry etch chemistry는 CF4/Ar gas인데요, 이 때 반응성 이온으로 형성될수 있는 F+,CFx+ ion 그리고 non-reactive gas인 Ar의 역할들에 대해 질문을 여쭙고 싶습니다.


흔히 Ar ion의 경우 energetic bombardment라 하여 target 표면의 1.physical sputtering 및 2. bonding을 깨 radical과의 화학반응을 유도하며 3. 낮은 ionization energy로 인해 RIE 공정 시  plasma 안정화의 역할을 하는 것으로 알고 있습니다.


반면 Reactive ion 의 경우의 역할에 대해 혼란이 있는데요, 예를들어 CF4 gas의 경우 plasma에서 CFx+ 및 F+ ion이 형성되고

수많은 논문들에서는 이들 reactive ion 의 역할을 1.radical과 같은 표면반응으로 byproduct 형성 / 2. icp의 bias power의 영향을 받아 Ar ion 과 같은 bombardment 역할을 한다고 이야기하고 있습니다.


이부분에서 장비 및 공정의 조건 그리고 target물질에 따라, reactive ion(CF3+ CF2+,CF+,F+ etc..)들의 역할이 바뀔 수 있는 것인지요, 아님 복합적으로 화학반응 및 sputtering 역할이 동시에 일어나되, 공정조건에 따라 dominent한 역할이 달라지는 것인지... 궁금합니다.


정리하면 rie에서 reactive ion의 역할이 ion bombardment & sputtering, chemical reaction 둘다 맞는 말인지 여쭙고 싶습니다.


감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [129] 5614
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16910
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51351
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64220
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84271
232 dbd-플라즈마 질문있어욤!!!!! [1] file 1216
231 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 1203
230 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1201
229 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] 1201
228 charge effect에 대해 [2] 1196
227 DBDs 액츄에이터에 관한 질문입니다. [3] 1196
226 O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] 1193
225 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 1191
224 플라즈마 실험을 하고 싶은 한 고등학생입니다.... [1] 1190
223 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] file 1188
222 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 1175
» [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 1172
220 MATCHER 발열 문제 [3] 1171
219 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1162
218 RF matcher와 particle 관계 [2] 1140
217 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1121
216 플라즈마 기초입니다 [1] 1111
215 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 1109
214 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1101
213 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1099

Boards


XE Login