Ion/Electron Temperature 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련

2016.01.04 17:14

변리왕 조회 수:1693

안녕하세요, 플라즈마에 대해서 공부 중인 학생입니다.

다중 주파수를 이용한 ccp 타입의 플라즈마 식각 장치에서 바이어스 전극에 저주파 전력을 인가함으로써, 이온 입사에너지를 증대된다고 배웠는데요. 어떠한 이유로 저주파 전력을 인가시, 이온 입사 에너지가 증대되는지 궁금해서 질문을 남기게 되었습니다.

그리고, 다중 주파수를 이용한 ccp 타입의 플라즈마 식각장치에서 전극에 고주파 전력을 인가함으로써, 플라즈마 밀도에 정상파 효과가 발생한다고 해당 랩의 논문에서 읽었는데요. 어떠한 이유로 정상파 효과가 발생하고, 고주파 전력을 100MHz --> 60MHz로 변경시 정상파 효과가 줄어드는지 궁금해서 질문을 남기게 되었습니다.

답변을 주시면, 공부하는데 많은 도움이 될 것같습니다.  답변을 부탁드립니다.(- -)(_ _)(- -)

감사합니다. 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76852
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20259
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57193
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68747
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92610
317 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6085
316 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] 2506
315 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3945
314 Ar plasma power/time [1] 1440
313 RPSC 관련 질문입니다. [2] 4046
312 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] 17512
311 플라즈마 내에서의 현상 [1] 1393
310 RF Generator와 Impedance 관련 질문있습니다 [2] 7255
309 플라즈마 띄울때..ㅠㅠ!!? [1] 1959
308 N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] 11463
307 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [1] 4200
306 PPV(플라즈마 용융 유리화)에 관해 질문드립니다. [1] 846
305 3 stub 정합에 대해 궁금합니다. [1] 1918
304 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3057
303 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4292
302 micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] 1224
301 ICP 내부 기체 비율에 따른 spectrum intensity 변화 [1] 1853
» 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] 1693
299 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3834
298 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3167
쓰기
태그

Boards

XE Login