안녕하세요, 반도체 회사에 근무하는 직장인입니다. 

 

여쭐 것이 있어 글을 남겨 봅니다.

 

산업현장에서 쓰는 플라즈마 챔버간의 특성 차이 문제는 극복해야할 문제인데요, 

제가 지금 경험하고 있는것은, N2 gas 전처리의 특성이 달라서 챔버간 소자 결과 차이가 난다는 것입니다. 

여기서 질문이 있습니다.

 

1. CVD의 RPSC step(셀프 클리닝)에서 시즈닝 공정 조건 즉 시즈닝 레시피가 Sio2 증착 recipe (Sih4+N20) 인지? 혹은 SiNx(Sih4+nh3)인지에 따라 후속에서 진행될 N2 플라즈마의 전자 온도, 전자 밀고, 이에 따른 N2 해리율 변동을 야기 할 수 있을지요?? 

 

2. 야기 한다면 시즈닝을 SiO2로 하다가 Sinx 로 할 경우, 전자 밀도 온도 N2 해리율이 증가하는 방향일지? 감소하는 방향일지요?

이것이 시즈닝 박막의 유전율과 연관이 있을지?? 궁금합니다.

 

답변주시면 큰 도움이 될 것 같습니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102617
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24654
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61354
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73436
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105739
353 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [플라즈마 물리/화학적 특성, 중성입자 거동 및 자기장 성질] [1] 4437
352 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [Plasma source와 loss] [3] 4520
351 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [세정 시간 및 식각 효율] [1] 4552
350 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [Self bias 및 플라즈마 방전 매커니즘] [2] 4567
349 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [Chemisorption과 pruege gas] [1] 4583
348 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4707
347 Depostion 진행 중 matcher(shunt, series) 관계 질문 [Matcher와 VI sensor] [3] 4769
346 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [Sputtering 및 particle issue] [1] 4783
345 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [장치 구조에 따른 공간 분포] [2] 4896
344 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] 4905
343 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [플라즈마 유전상수] [1] 4918
342 플라즈마 색 관찰 [플라즈마 빛과 OES신호] [1] 4975
341 RPSC 관련 질문입니다. [플라즈마 발생과 쉬스 형성, 벽면 및 시료 demage] [2] 5070
340 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [충돌 반응 rate constant] [4] 5285
339 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [자유행정거리, Child law sheath] [1] 5456
338 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [Child-Langmuir sheath 및 Debye length] [1] 5698
337 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [Arc 형성 조건] [3] 5715
336 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [Plasma impedance와 Matcher] [2] 5737
335 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [RF 전력 전달] [1] 5774
334 DRAM과 NAND 에칭 공정의 차이 ["플라즈마 식각 기술"] [1] 5939

Boards


XE Login