Others 고온 플라즈마 관련

2012.06.04 11:49

몽돌 조회 수:8090

안녕하세요?

배가스의 SOx와 NOx 처리에 저온 플라즈마를 사용하는데 관련된 논문이 있었는데,

그 중에서 Radical 생성이 잘 되지 않아서 문제가 있는 것을 봤습니다.

혹시 고온 플라즈마를 사용하여 Radical 생성을 더 잘 생성시킬 수 있을까요?

만약 고온 플라즈마가 Radical을 더 잘 생성시킬 수 있다면 왜 지금까지 연구하신 분들이 모두 저온 플라즈마를 사용하는 방안을

연구하셨을까요? 거기에 다른 이유가 있나요?

빠른 답변이면 감사하겠습니다.
이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76871
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20273
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68751
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92694
317 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [1] 1542
316 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] 1536
315 IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] 1532
314 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 1522
313 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1522
312 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 1509
311 charge effect에 대해 [2] 1475
310 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] 1469
309 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 1468
308 알고싶습니다 [1] 1468
307 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] 1468
306 Impedence 위상관련 문의.. [1] 1468
305 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1467
304 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [1] 1466
303 ICP lower power 와 RF bias [1] 1462
302 Plasma 발생영역에 관한 질문 [2] 1459
301 강의를 들을 수 없는건가요? [2] 1453
300 PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] 1446
299 Ar plasma power/time [1] 1441
298 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1440
쓰기
태그

Boards

XE Login