안녕하세요 서울대학교 박사과정 학생입니다. 

실험을 설계하는중 플라즈마 공정에 관해서 모르는 점이 많아서 여쭤봅니다. 

O2 Plasma etch공정에서 저희가 sample이 받는 Total 플라즈마 에너지 혹은 etch rate을 일정하게 
유지하면서 Power를 바꿔보고싶습니다. 가스 flow rate 와 가스 종류, 시간은 바꾸지 않고 power와 pressure만 컨트롤 해서 유지가 가능할까요? 이렇게 할 경우에 Power가 바뀔시 Pressure가 어떤식으로 바껴야 Plasma energy를 가능한 일정하게 유지할 수있는지를 알수있는 식이나 상관관계가 있나요? 
예를 들어서,  power: 50W, 에서 100W로 두배 올릴때 압력은 어떤 변화를 가지게 되나요?
정확한 수치를 계산하는 목적이 아닌 대략적으로라도 실험을 일관성 있게 진행하려는 목적으로 질문을 드립니다. 
답변 부탁드리겠습니다. 


감사합니다. 
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76699
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20156
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57159
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68681
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92221
307 IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] 1507
306 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [1] 1504
305 plasma 형성 관계 [1] 1503
304 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 1502
303 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1490
302 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 1477
301 charge effect에 대해 [2] 1463
300 Impedence 위상관련 문의.. [1] 1463
299 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [1] 1463
298 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] 1457
297 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1455
296 Plasma 발생영역에 관한 질문 [2] 1452
295 알고싶습니다 [1] 1450
294 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 1443
293 강의를 들을 수 없는건가요? [2] 1443
292 PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] 1440
291 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] 1439
290 Ar plasma power/time [1] 1435
289 ICP lower power 와 RF bias [1] 1429
288 MATCHER 발열 문제 [3] 1429

Boards


XE Login