Matcher Impedence 위상관련 문의..
2017.06.30 04:39
안녕하세요. 전에도 몇번 질문드렸었습니다만,, 반도체 관련회사에서 근무하고 있습니다.
RF (ICP)장비를 다루고 있는데 impedence 위상관련해서 문의 좀 드리려고 합니다.
impedence 매칭은 저항과 위상으로 조정하데..
공정 parameter (Ar pressure , AC power 등)의 변화로 위상이 변화할수 있을까요?
변화된다면 어떤 이유로 변화되는지 조금 자세하게 설명을 듣고 싶습니다..
그리고 정말 죄송한데 smith chart program 을 사용하고 싶은데..도움 받을 site가 있을까요?
검색해서 찾아봐도 알수 없는 site로 이동이 되서...찾기가 어렵습니다만..
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] | 78037 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20847 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57737 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 69253 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 93632 |
| 339 | CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] | 1661 |
| 338 | plasma 형성 관계 [1] | 1646 |
| 337 |
전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다.
[1]  | 1646 |
| 336 | IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] | 1623 |
| 335 | PECVD 증착에서 etching 관계 [1] | 1616 |
| 334 | glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] | 1611 |
| 333 | O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] | 1596 |
| 332 | 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] | 1592 |
| 331 | PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] | 1583 |
| 330 | N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] | 1577 |
| 329 | ICP lower power 와 RF bias [1] | 1570 |
| 328 | 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] | 1566 |
| 327 | charge effect에 대해 [2] | 1559 |
| 326 | 알고싶습니다 [1] | 1520 |
| 325 | 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] | 1518 |
| » | Impedence 위상관련 문의.. [1] | 1512 |
| 323 | OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] | 1511 |
| 322 | RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. | 1510 |
| 321 | rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] | 1505 |
| 320 | ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 | 1503 |
우리가 하나의 회로로 플라즈마를 놓는다면 capacitance (쉬스), diode (이온 전류), 및 저항 ( 총돌에 의한 에너지 전달: Ohmic heating 과 Stochastic heating) 값, 그리고 inductance (충돌로 인한 플라즈마 전류 위상차이)로 표현이 가능할 것입니다. 이를 종합해서 플라즈마 임피던스라 하고, 특히 RF 에 영향을 미치는 cap/inductance 항이 플라즈마 밀도와 온도 그리고, 충돌 함수이므로, 운전 전력과 압력에 따라서 matching position 이 바뀔 수 밖에 없겠습니다. 때로 연구자들은 회로 모델이라 부르는 해석 방법을 연구하기 합니다.