CCP PECVD와 RIE의 경계에 대해

2021.06.21 15:35

피했습니다 조회 수:1539

안녕하세요. PECVD 방식을 사용하는 반도체 장비 회사에 다니는 엔지니어입니다.

항상 많이 배우고 있습니다 .감사합니다.

 

이번에 여쭙고 싶은것은 PECVD가 어느 순간 RIE가 되는지 입니다.

 

말씀드렸다시피 저희 회사는 PECVD를 쓰고있고, 이는 양 전극의 크기가 동일하며 두 전극의 간극(Gap)이 작아서 Wall의 영향을 받지 않기 때문에 DC bias는 영향이 거의 없고 따라서 Ion bombardment는 일어나지 않고 라디컬에 의한 화학 반응이 주를 이루게 된다고 알고 있습니다.

 

그렇다는 것은 두 전극의 크기가 동일하더라도 Gap을 늘리면 DC bias 효과를 낼 수 있다는 말인 것 같은데,

Gap을 어느정도로 확보해야 PECVD가 아닌 RIE로 부를 수 있는 걸까요?

현재는 10mm이하로 Gap을 사용하고 있습니다.

 

혹시 안된다면 이유는 무엇이고 전극의 크기가 같은 CCP 구조에서 Ion Bombardment를 일으킬 수 있는 방법이 있는지 궁금합니다.

 

감사합니다!!!

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [286] 77301
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20496
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57414
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68946
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92988
330 plasma 형성 관계 [1] 1593
329 IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] 1583
328 O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] 1578
327 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1563
326 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 1561
325 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1558
324 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 1553
323 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] 1545
» PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 1539
321 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] 1526
320 ICP lower power 와 RF bias [1] 1521
319 charge effect에 대해 [2] 1520
318 알고싶습니다 [1] 1494
317 Impedence 위상관련 문의.. [1] 1489
316 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1487
315 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] 1478
314 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [1] 1478
313 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1474
312 Plasma 발생영역에 관한 질문 [2] 1466
311 강의를 들을 수 없는건가요? [2] 1466

Boards


XE Login