ICP chamber 방식이며 Generator는 13.56MHz, 1.5kw두개를 사용할경우

matcher제작 or 분석을 하려는데 국내, 일본 회사에서는 불가능 할것 같다고 합니다.

미국의 AE, MKS를 제외하고 RF matcher나 Generator 방면에서 기술력을 갖고 있는

회사가 있을까요?

혹시 알고 계신곳이 있으면 가르쳐 주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [309] 78472
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21040
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57866
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69399
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93943
341 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [플라즈마 유전상수] [1] 4417
340 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4465
339 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [장치 구조에 따른 공간 분포] [2] 4468
338 플라즈마 색 관찰 [플라즈마 빛과 OES신호] [1] 4513
337 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [Arc 형성 조건] [3] 4876
336 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [자유행정거리, Child law sheath] [1] 5009
335 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [RF 전력 전달] [1] 5249
334 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [Child-Langmuir sheath 및 Debye length] [1] 5354
333 DRAM과 NAND 에칭 공정의 차이 ["플라즈마 식각 기술"] [1] 5623
332 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [반응성 기체 생성] [1] 5659
331 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [ESC, 쉬스 전기장 및 bias 전력 조절] [1] 5770
330 RF Vpp관련하여 문의드립니다. [Self bias와 플라즈마 쉬스] [1] 5834
329 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다.[CCP와 Vdc, Vpp] [1] file 5945
328 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5951
327 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [Electron Temperature와 Excitation Temperature] [1] 6012
326 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [VI probe] [3] 6083
325 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6211
324 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [ER과 energy transport] [1] file 6225
323 자료 요청드립니다. [1] 6243
322 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [Reaction rate 및 reaction rate coefficient] [1] file 6265

Boards


XE Login