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공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[127]
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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191 |
Arcing
[1] | 27365 |
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190 |
RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동
[1] | 24532 |
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189 |
전자온도에 대하여 궁금한 사항이 있습니다.
[1] | 17702 |
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188 |
궁금해서요
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187 |
PM을 한번 하시죠
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186 |
CCP형, 진공챔버 내에서의 플라즈마...
[1]  | 20052 |
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185 |
Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계
[1] | 22168 |
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184 |
scattering cross-section, rf grounding에 관한 질문입니다.
[2] | 18992 |
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183 |
Full Face Erosion 관련 질문
[2] | 19369 |
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182 |
공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제...
[2] | 25930 |
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181 |
상압 플라즈마 관련 문의입니다.
[1] | 21330 |
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180 |
RF에 대하여...
| 28314 |
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179 |
Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제
| 23759 |
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178 |
PECVD 매칭시 Reflect Power 증가
[2] | 24592 |
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177 |
RF를 이용하여 Crystal 세정장치
[1] | 18775 |
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176 |
RF plasma에 대해서 질문드립니다.
[2] | 20519 |
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175 |
floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점
[1] | 22407 |
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174 |
MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까?
[3] | 22400 |
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173 |
glass 기판 ICP 에서 Vdc 전압
| 21415 |
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172 |
self bias (rf 전압 강하)
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