Others Plasma source type
2004.06.25 16:49
질문 ::
CCP?
ICP?
TCP?
위 3가지 type에 자세한 설명을 부탁드립니다
감사합니다
답변 ::
자세한 설명은 이미 설명드린 사항을 참고하시기 바랍니다.
CCP=capcitively coupled plasma source
oscillated electrice field 에 의한 breakdown이 주요 발생원이며
전극 근방에서 oscillated sheath에서의 전자 가열이 플라즈마 밀도를
높이게 됩니다.
ICP=inductively coupled plasma source
이름 그대로 안테나 전류에서 발생되는 자기장에 의한 유도 기전력에
의한 전자의 가속으로 전자에너지가 커지고 충돌에 의해 플라즈마가
발생하게 됩니다. 따라서 안테나 근방의 전자기장이 삽입되는 영역에서
전자가열이 크고 플라즈마가 발생하여 공간내로 퍼지게 됩니다.
CCP와의 차이는 전자가 에너지를 받는 길이 CCP는 전극과 전극사이
길을 통하며, ICP는 공간내의 원형길을 따라서 생성됨으로 생성효율이
좋게 됩니다.
TCP는 ICP의 한 형태로 생각해도 무방합니다. TCP는 ICP의 일부를 변형시킨 Lam사의 장비의 고유이름입니다. 플라즈마 발생 메카니즘은
ICP와 동일합니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] | 76775 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20224 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57178 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68721 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92388 |
291 | Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] | 1428 |
290 | ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 | 1427 |
289 | O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] | 1425 |
288 | poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. | 1413 |
287 | 플라즈마 관련 교육 [1] | 1409 |
286 | dbd-플라즈마 질문있어욤!!!!! [1] | 1403 |
285 | 수방전 플라즈마 살균 관련...문의드립니다. [1] | 1395 |
284 | 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] | 1390 |
283 | 플라즈마 내에서의 현상 [1] | 1390 |
282 | Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] | 1389 |
281 | Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] | 1380 |
280 | [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] | 1377 |
279 | OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] | 1375 |
278 | Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] | 1358 |
277 | low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] | 1355 |
276 | Plasma Cleaning 관련 문의 [1] | 1351 |
275 | Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] | 1350 |
274 | CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] | 1334 |
273 | ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] | 1332 |
272 | DBDs 액츄에이터에 관한 질문입니다. [3] | 1330 |