안녕하세요, dry etch 관련 업종에서 일하는 직장인 입니다

 

현장에서 발생하는 문제에 궁금증이 있어 자문을 구하고자 합니다.

ETCH 공정이후 ASHING공정을 연속 PLASMA를 사용하여 스텝을 전환하는데요,

Ashing 공정으로 전환시 source reflect가 수준이 약해 매끄럽게 매칭이 되는 경우가 있는 반면, reflect 수준이 강하여 rf power drop이 발생하며 매칭이 되지 않는 경우가 종종 발생합니다, 이경우 심하면 esc에 arc가 주로 발생을 하는데...원인을 찾기가 어렵네요...

 

Matcher 파라미터(위상)변경 및 제너레이터 교체, esc교체 등을 해보았으나 여전히 power drop 현상이 남아있습니다. 여러개의 챔버를 대상으로 power drop 빈도수를 확인해보면 어떤 챔버는 power drop이 전혀 발생하지 않고, 어떤 챔버는 약  10%확률로 power drop이 발생합니다.

 

연속 plasma 공정 특성상 가스종류 및 프레셔가 급변하여 reflect가 발생은 예상했지만, 챔버별로 유의차가 나오니 원인을 trace 중입니다.

 

추정원인으로

-icp구조의 안테나측 capacitor가 내전압특성을 잃어서?

-Gas 종류의 변동(ar->o2)으로 esc chuck력이 약해져서?

로 생각이 되는데...relecct가 심하면 esc arc까지 발생되는 이유가 있을까요?

문제 해결을 위해 조언을 주신다면 감사하겠습니다!

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [129] 5614
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16912
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51351
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64221
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84301
192 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 942
191 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 940
190 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 911
189 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 903
188 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 894
187 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 894
186 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 891
185 고전압 방전 전기장 내 측정 [1] file 890
184 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 882
183 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 882
182 LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 879
181 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 879
180 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 877
» 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 866
178 Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] 858
177 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 856
176 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 855
175 RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] 852
174 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 848
173 플라즈마 기초에 관하여 질문드립니다. [1] 841

Boards


XE Login