진공상태에서 ESC 표면의 온도가 모두 같지는 않기 때문에 Inner랑 outer에서 조금의 온도 차이가 있을 텐데

 

이러한 온도 차이 때문에 wafer에서의 식각률의 차이가 어떤 이유로 있는건지 알 수 있을까요??

온도별로 영역별 식각정도가 다를 경우가 있는데 어떤 이유가 있을지 궁금해서요

 

도움 부탁드립니다! 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [126] 5571
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16853
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51343
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64184
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84145
190 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 926
189 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 903
188 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 897
187 고전압 방전 전기장 내 측정 [1] file 886
186 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 880
185 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 878
184 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 875
183 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 875
182 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 868
181 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 864
180 LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 863
179 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 860
178 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 854
177 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 853
176 Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] 852
175 RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] 844
174 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 843
173 플라즈마 기초에 관하여 질문드립니다. [1] 840
172 DC Plasma 전자 방출 메커니즘 839
171 플라즈마를 이용한 오존 발생기 개발 문의 件 [1] 832

Boards


XE Login