안녕하세요. 반도체 공정 & 소자제작과 관련하여 연구중인 대학원생 서대재라고 합니다.

 

Photolithography 이후에 남아있는 PR 잔여물들을 PR asher를 통해 조건을 바꿔가며 최대한 제거해보는 작업을 계속 진행중입니다.

 

현재 장비를 통해 바꿀 수 있는 조건들은 흘려주는 O2의 유량(ml), 플라즈마를 생성하기 위한 파워, 그리고 공정 시간인데 

 

여기서 저는 공급해주는 파워가 더 증가했을 때 Ashing에 어떤 식으로 영향이 가는지 궁금합니다.

 

Sputter에서 파워를 증가시켜주면, 그만큼 이온화된 기체원자가 더 가속을 받아 강한 힘으로 충돌하므로 sputtering rate이 증가하게 됩니다.

 

그래서 비슷하게 PR ashing에서도 인가하는 파워가 증가하면, O2 plasma를 구성하는 산소 이온들이 더 강한 힘으로 시료에 충돌하여 

 

C+O2 -> CO2 로 탄소를 이산화탄소와 같은 휘발성기체로 만들어 날려버리는 반응이 더 잘 일어날 것이라는 예상을 우선 했습니다.

 

(산소가 너무 많으면 저 반응이 포화되어 어느순간부터는 반응이 잘 일어나지 않을 것이라는 가정은 일단 제외했습니다)

 

다만 제가 염려되는 점은, 무작정 인가하는 파워를 올렸을 때 혹시 발생할 수 있는 문제점들이 있을지입니다.

 

1. 가해준 파워가 플라즈마에 어떤식으로 영향을 끼치는지 정확히는 알지 못하고 있어 이 점이 궁금합니다.

 

2. 파워를 너무 많이 인가했을 때, O2 plasma가 샘플에 끼칠 부정적인 영향이 혹시 있을지 궁금합니다. 기판은 SiO2 기판입니다.

 

3. Paschen's curve를 보면 기체의 압력이 너무 낮거나 높을 때 발생하는 문제점들을 해결하는 방법은 결국 인가하는 전압을 올려야 해결되는 것으로 이해됩니다. 그러면 Sputtering 공정에도 인가해주는 파워가 높을수록 무조건적으로 증착률이 올라간다고 이해해야 하는건가요? 부작용이 있을 것으로 보이지만, 어디까지나 추측이라 확실하지 않습니다.

 

매우 긴 글 읽어주셔서 감사합니다. 좋은 하루 보내세요. 

 

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76901
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20295
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57212
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68764
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92723
299 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1445
298 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1442
297 MATCHER 발열 문제 [3] 1439
296 O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] 1438
295 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1427
294 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1420
293 플라즈마 관련 교육 [1] 1417
292 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] 1411
291 dbd-플라즈마 질문있어욤!!!!! [1] file 1409
290 수방전 플라즈마 살균 관련...문의드립니다. [1] 1398
289 플라즈마 내에서의 현상 [1] 1393
288 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1391
287 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1391
286 Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] 1382
285 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 1380
284 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 1370
283 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 1370
282 ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] 1366
281 Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] 1355
280 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 1351

Boards


XE Login